● 生長腔為球型結構，材質為SS316不銹鋼
● 模塊化設計，既滿足現有材料制備的需求，也提供未來擴展可能性
● 結構緊湊，占地面積小
● 配置及性能指標滿足高精度薄膜材料制備的需求
● 應用范圍廣，如：超導薄膜，拓撲絕緣體，過渡金屬硫族化合物（TMDCs），異質結構，有機物，等等
| 生長室 | 生長腔極限真空：<5×10-10 mbar |
| 超高真空抽氣系統：300L/s分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前級機械泵及配套真空管路、安全閥等 | |
| 真空測量：離子規及Pirani真空規，覆蓋2×10-11 mbar至大氣壓的測量范圍，并與真空控制系統關聯集成，實現系統的安全保護 | |
| 4軸樣品架（水平方向安裝）：匹配標準flag-type樣品托，工作溫度：室溫-1200K；可選配低溫模塊（液氮制冷），電子束加熱模塊，或者Direct Heating模塊 | |
| 包含膜厚測量儀（QCM）及配套的線性驅動，實現晶振探頭的移動操作 | |
| 蒸發源安裝口：4個；可根據用戶實際需求進行低、中、高、電子束蒸發源的配置 | |
| 可選配離子源（Ion Source） | |
| 可選配高能電子衍射儀（RHEED） | |
| 快速進樣室 | 本底真空：<5×10-8 mbar |
| 超高真空抽氣系統：80L/s分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前級機械泵及配套真空管路、安全閥、放氣閥等 | |
| 真空測量：全量程真空規，覆蓋5×10-9 mbar至大氣壓的測量范圍，并與真空控制系統關聯集成，實現系統的安全保護 | |
| 樣品停放臺：6個停放位（可升級至12個停放位） | |
| 樣品傳遞裝置：600mm行程傳樣桿，包含樣品托抓取頭及法蘭調節器 | |
| VAT CF63閘板閥，用于生長室與快速進樣室的隔斷 | |
| 系統集成及控制 | 真空控制及保護系統，集成真空規信號、分子泵控制、蒸發源保護、烘烤保護等功能 |
| 包含蒸發源、樣品架的溫度控制軟件 | |
| 熱風式烘烤模塊，烘烤溫度均勻，拆裝方便 |
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